שבב ה-UFS 3.1 הדק בעולם מציע נפח של 1TB ועובי של 1.1 מ"מ בלבד



חברת Kioxia (לשעבר Toshiba Memory) הכריזה כי היא החלה לדגום (Sampling) שבב זיכרון חדש בטכנולוגיית ה-UFS 3.1, המגיע בנפח גבוה במיוחד של 1TB, כאשר הוא מוגדר על ידי החברה כשבב ה-1TB הדק בעולם עם עובי של 1.1 מ"מ בלבד.


ההכרזה החדשה של Kioxia מגיעה כחודש בלבד לאחר ההכרזה המשותפת של החברה עם Western Digital על דור חדש של שבבי NAND מסוג BiCS5 בנפח 512Gbit, מה שתורם להנחה כי שבב ה-UFS 3.1 החדש והדק של החברה משתמש בטכנולוגיה זהה על מנת להגיע לנפח הגבוה ולעובי הנמוך במיוחד שלו בהשוואה למתחרים, אשר נמדד ב-1.1 מ"מ בלבד.


>> הצטרפו לערוץ הטלגרם של גאדג'טי

שבב ה-UFS 3.1 החדש יציע מהירות קריאה רציפה של עד 2050MB/s וכתיבה רציפה של עד 1200MB/s. הוא משתמש בטכנולוגיית ה-WriteBooster, המגיעה כחלק מתקן ה-UFS 3.1 לשיפור ניכר במהירות כתיבת המידע, ובטכנולוגיית ה-HPB 2.0 (ר"ת Host Performance Booster), גרסה מעודכת יותר לטכנולוגיית ה-HPB, המשפרת את ביצועי הקריאה הרנדומלית על ידי מיפוי כתובות ה-LTP (ר"ת logical-to-physical) של זיכרון ה-UFS בזיכרון ה-DRAM של המכשיר לשיפור ביצועי הקריאה הרנדומלית.


בעוד שהחברה לא פרסמה צפי זמינות עבור שבב ה-UFS 3.1 1TB החדש שלה, העובדה כי הוא נמצא בהליך דיגום מצביעה על כך שנוכל לראות כבר השנה יותר מכשירים המגיעים עם נפח אחסון גדול מבעבר, אשר עומד על 1TB. כל מה שנותר לראות הוא מי יהיה המכשיר הראשון עם זיכרון 1TB עדכני.